超高真空磁控濺射系統(tǒng)

主要技術指標：JGP450　　功能/應用范圍：基片上濺射各種薄膜制作樣品　　主要測試和研究領域：其他

復旦大學物理學系

超高真空分子束外延生長和原位測量系統(tǒng) (vacuum system for surface studies)

　　主要技術指標：真空度優(yōu)于1＊10-10torr 　　功能/應用范圍：超高真空生長磁性金屬超薄膜以及復雜氧化物薄膜 　　技術特色：能夠生長各種臺階樣品以及楔形...

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單頻可調諧鈦寶石激光系統(tǒng) (pulse dye laser)

主要技術指標：Verdi-V10:10W532nmMBR110EL:>1.5w700nm-1000nmMBD-20020mw-500mw350nm-500nm?功能/應用范圍：超高分辨率拉曼光譜；可調諧紫外光源；光致發(fā)光；原子誘捕和冷...

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近場掃描光學顯微鏡 (Scan near-field optical microscopy)

主要技術指標：采用3DFlatscan掃描器，掃描范圍:XY方向70um、Z方向70um，另外有30um和10um掃描器選配，掃描步進：70um掃描器＜1nm、10um掃描器＜0.1nm，掃描器厚度7mm,重量75克；近場光學顯...

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熒光光譜儀 (Fluorescence spectroscope)

主要技術指標：焦距320mm孔徑f/4.1光譜范圍150~1500nm，用1200條/mm光柵；光柵尺寸68mmx68mm支座上最多可裝光柵數(shù)3平場尺寸30mmx12mm分辨率(用出口狹縫和光電倍增管時)0.06nm波...

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氧化物薄膜分子束外延設備 (oxide molecular beam exptaxy system)

主要技術指標：真空度10e-9mbar8個單質蒸發(fā)源單原子層精度控制氧化物薄膜生長襯底10X10mm　　功能/應用范圍：小尺寸氧化物薄膜生長　　技術特色：單原子層精度控制氧化...

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掃描探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscopy)

主要技術指標：掃描范圍：10μm×10μm橫向分辨率：~5nm(電學測量模式為10~20nm)CAFM電流分辨率<5pA 功能/應用范圍：功能包括：AFM，EFM，CAFM，SKM，SCM等...

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實時勞爾反饋系統(tǒng)

主要技術指標：實時顯示數(shù)據(jù)結果，10秒鐘以內成像方式，脫離對傳統(tǒng)膠片等化學污染品的依賴，整個系統(tǒng)應具有多自由度調節(jié)，可以任意調整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘，方便迅速。...

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多功能磁學測試系統(tǒng)

主要技術指標：versalab　　功能/應用范圍：用于測量樣品的磁矩與磁電阻　　主要測試和研究領域：其他

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超連續(xù)光纖激光器 (Supercontinuum fibre Lasers)

主要技術指標：參數(shù)值波長范圍460-2400nm最小功率密度>3mW/nm重復頻率(固定的)80MHz總電源脈沖寬度5ps總可見光功率(460-850nm)>1300mW總平均功率(460-1750nm)>4500mW輸出偏振去偏...

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超短脈沖激光器

主要技術指標：Avg.ModelockedPower:>300mW　Bandwidth:>70nm　CentralWavelength(nominal):800nm　RepetitionRate:80MHz　PulseWidth:<20fs　Internal...

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脈沖激光分子束外延設備腔室及附件

主要技術指標：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數(shù)量6個　　功能/應用范圍：在高氣分下生長高質量的單晶薄膜　　主要測試和研究領域：其他...

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真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)

主要技術指標：(1)每臺真空腔的極限本底真空<3　10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1　10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導引管需安裝在compactZstage,移動范圍...

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強磁場低溫系統(tǒng) (Low temperature superconducting magnet system)

主要技術指標：最大磁場15T，最低溫度300mK　　功能/應用范圍：低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質　　技術特色：垂直樣品的磁場能達到15T，測量噪聲低　　...

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高功率飛秒激光器

主要技術指標：脈沖寬度：30-100fs;重復頻率：1kHz;調諧范圍：800-18000nm脈沖能量：1-1000uJ 功能/應用范圍：光譜；超快動力學研究 主要測試和研究領...

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JGP-500磁控濺射系統(tǒng)

主要技術指標：磁控濺射靶位：4個 功能/應用范圍：利用磁控濺射生長金屬或氧化物薄膜 主要測試和研究領域：其他...

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精密單光子探測光譜儀

主要技術指標：CCD：100*1340pixels，CCD效率：400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵：150G/mm，300G/mm，1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm，1200G/mmwi...

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高能固體皮秒激光系統(tǒng)

主要技術指標：波長：1064nm；脈沖寬度：30ps；重復頻率：20Hz；脈沖能量35mJ 功能/應用范圍：皮秒光譜 主要測試和研究領域：其他...

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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Thin Film Depostion System)

主要技術指標：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領域：電子/信...

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原子力顯微鏡

主要技術指標：測量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...

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