深圳京都玉崎株式會(huì)社

LASERTEC sicwen缺陷檢查/評(píng)論裝置 SICA88

特長(zhǎng) 表面欠陥と同時(shí)にエピ膜付きウェハ內(nèi)部の基底面內(nèi)転位（BPD）、積層欠陥(SF)など結(jié)晶欠陥を高感度に検出欠陥の高解像度レビュー畫像の取得と同時(shí)に高精度自動(dòng)欠陥分類（ADC）によって、各種欠陥を詳細(xì)分類。高解像度の欠陥畫像を取得できるため、顕微鏡での再観察不要 φ6インチウェハ全面検査で20枚/時(shí)間（ハイスループットモード）。量産対応が可能な高スループットを?qū)g現(xiàn) 用途 SiCウェハ、エピウェハの出荷?受入検査 SiCエピタキシャル成長(zhǎng)プロセスの管理 SiC研磨プロセスの管理 SiCデバイス製造プロセスの管理仕様対応基板サイズ (インチ) φ4、φ6、φ8インチ検査対象ウェハバルクSiC、エピ膜付SiC スループットノーマルモード 10枚（φ6インチ）/時(shí)間ハイスループットモード 20枚（φ6インチ）/時(shí)間光學(xué)検査（表面欠陥検査）光學(xué)系コンフォーカル光學(xué)系および微分干渉 PL検査（內(nèi)部欠陥検査）光學(xué)系フォトルミネッセンス勵(lì)起波長(zhǎng) 313nm　365nm他 PL観察フィルタ NIR,NUV,VIS　他

深圳京都玉崎株式會(huì)社