檢測認證人脈交流通訊錄
- 型號: RIE 2000反應離子刻蝕機
產(chǎn)地: 美國 反應離子刻蝕機
關鍵機:反應離子刻蝕系統(tǒng),反應離子蝕刻機,RIE刻蝕機,反應離子蝕刻系統(tǒng),進口反應離子蝕刻機
品牌:MYCRO
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RIE 2000 反應離子刻蝕機是專門為微電子器件的各向異性刻蝕設計的。這款緊湊型的研究級設備可以用于工藝開發(fā)和小批量生產(chǎn),從而可以模擬大型生產(chǎn)設備的操作。
RIE 2000是一套分子渦輪真空泵系統(tǒng),可以達到底限壓力10-6 torr。這樣的低基準壓力使得刻蝕前腔體內(nèi)的殘留物被消除,從而提供了一個潔凈的蝕刻環(huán)境,使高度的異向性刻蝕成為可能。其200毫米直徑的真空倉可以容納最大6英寸直徑及相應尺寸不規(guī)則基片的蝕刻。RIE 2000配套的全手動控制系統(tǒng)及數(shù)字顯示讀取,使設備可以進行更廣泛的蝕刻實驗參數(shù)設定,并不受限于常規(guī)自動化的處理范圍。
。
技術規(guī)格:
真空泵: 70 1/sec 渦輪分子泵
氣體輸入: 雙通道,全不銹鋼構造,配備整體式氣體噴頭。
系統(tǒng)排氣/泄壓裝置:獨立式連鎖電磁閥,配有干燥氮氣連接。
射頻電源: User variable 0-200 watt; 13.56 MHz frequency,
手動調(diào)節(jié);風冷; 固態(tài)設計.
工藝時間控制: 蝕刻自動終止,最長時間為99:99:59
輸入電源: 115/230 VA, 50/60 Hz, 10/5 amps.
系統(tǒng)尺寸: 20.25" W x 16" D x 15" H
真空處理艙尺寸: quartz, 8" OD x 4" high.
選配件:不銹鋼艙,觀測窗;質量流量控制系統(tǒng),最多配四路氣體通道;冷陰極真空計
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