項(xiàng)目類別:
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金屬粉末流動性的測定標(biāo)準(zhǔn)漏斗法（霍爾流速計）GB1482-1984,金屬粉末流動性的測定標(biāo)準(zhǔn)漏斗法（霍爾流速計）GB/T1482-2010
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金屬粉末振實(shí)密度的測定GB/T5162-2006,金屬粉末振實(shí)密度的測定GB/T5162-2006
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剛玉磨料中α-Al2O3相X射線定量測定方法GB/T14321-2008
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四圓單晶X射線衍射儀測定小分子化合物的晶體及分子結(jié)構(gòu)分析方法通則JY/T008-1996,四圓單晶X射線衍射儀測定小分子化合物的晶體及分子結(jié)構(gòu)分析方法通則JY/T008-1996...
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轉(zhuǎn)靶多晶體X射線衍射法通則JY/T009-1996,轉(zhuǎn)靶多晶體X射線衍射法通則JY/T009-1996
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粉末衍射國際標(biāo)準(zhǔn)卡PDF-21-47,粉末衍射國際標(biāo)準(zhǔn)卡PDF-21-47
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眼鏡架通用要求和試驗(yàn)方法GB/T14214-20039.7,眼鏡架通用要求和試驗(yàn)方法GB/T14214-20039.7
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硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法GB/T4059-2007,硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法GB/T4060-2007,硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法GB/T4059-2007,硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法GB/T4060-2007...
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硅單晶電阻率測定方法GB/T1551-2009,硅單晶電阻率測定方法GB/T1551-2009
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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法GB/T14144-2009,硅中代（替）位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T1558-2009,硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1557-2006,硅晶體中間隙氧含量徑向變...
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硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1554-2009,硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1554-2009
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非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1550-1997,非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1550-1997
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半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T1555-2009,硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法GB/T13388-2009,半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T1555-2009硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法GB/T13388-2009...
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硅片厚度和總厚度變化測試方法,GB/T6618-2009,硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6618-2009,自動無接觸掃描方法對硅片平整度、厚度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)測試方法SEMIMF1530-0707...
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硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6618-2009,硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6618-2009,自動無接觸掃描方法對硅片平整度、厚度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)測試方法SEMIMF1530-0707...
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硅片表面平整度測試方法GB/T6621-2009,硅片表面平整度測試方法GB/T6621-2009,自動無接觸掃描方法對硅片平整度、厚度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)測試方法SEMIMF1530-0707...
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硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6620-2009,硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6620-2009,用自動無接觸掃描方法測量硅片翹曲度的標(biāo)準(zhǔn)測試方法SEMIMF1390-0707...
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硅片彎曲度測試方法GB/T6619-2009
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硅單晶電阻率測定方法GB/T1551-2009,半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測定非接觸渦流法GB/T6616-2009
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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法GB/T14144-2009,硅中代（替）位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T1558-2009
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