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儀器類(lèi)別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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聯(lián)系人：朱文清(56334387) 儀器簡(jiǎn)介： 該設(shè)備主要用于在真空條件下蒸發(fā)各種有機(jī)薄膜。 主要技術(shù)指標(biāo)： 蒸發(fā)室尺寸：&...
上海寶山區(qū)
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聯(lián)系人：徐靜(18616382643)、樓燕燕(18930057056) 儀器簡(jiǎn)介： 主要配置：微波光電導(dǎo)衰減法：激發(fā)波長(zhǎng)905nm，最小掃描步長(zhǎng)1mm。LBIC四個(gè)激發(fā)波長(zhǎng)：408nm，...
上海寶山區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品臺(tái)X:80mmY:40mmZ:40mmT:-30°～60°R:360degrees(endless)SEM部二次電子圖像分辨率3.5nm(30kV)放大倍數(shù)×20～×300,000加速電...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：壓痕：加載范圍：25uN-100mN有效載荷分辨率1nN最大壓痕深度100um劃痕：劃痕正向力范圍1mN-1000mN最大摩擦力1N摩擦力分辨率6uN最大劃痕深度 200 mm最大劃痕長(zhǎng)度12...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：這是一套進(jìn)行XPS和UPS測(cè)量的高分辨低溫光電子譜儀。譜儀的真空度為1E-8Pa。電子能量分辨率為3meV，動(dòng)量分辨率為0.1度。樣品處最低溫度為7.2K?！ 」δ?..
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：溫度區(qū)間：1.8-400K；降溫速度：30K/min,300K>T>10K;10K/min,10K>T>1.8K樣品腔內(nèi)徑：9mm;磁場(chǎng)強(qiáng)度：0-7特斯拉；磁場(chǎng)均勻度：4cm范圍內(nèi)達(dá)到0.01%；勵(lì)磁...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：5X--100X物鏡光學(xué)鏡頭， 功能/應(yīng)用范圍：材料型貌觀察?！ ≈饕獪y(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶 首飾電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.點(diǎn)分辨率2.3A；2.信息分辨率1A；3.場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)?.2k′2kCCD替代普通相機(jī)；5.最小束斑直徑1nm 功能/應(yīng)用范圍：1.微觀形貌結(jié)構(gòu)觀測(cè)；2.在位成分...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：掃描范圍100um(微米)，縱向分辨率優(yōu)于1A(埃)，橫向分辨率優(yōu)于1nm(納米)?！ 」δ?應(yīng)用范圍：掃描探針顯微鏡(SPM)的納米量級(jí)的分辨率和光學(xué)顯微鏡的...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：(1)深度分辨率：幾個(gè)納米；(2)空間分辨率：<一個(gè)微米；(3)質(zhì)量分辨率：m/m5000(4)檢測(cè)靈敏度：ppmppb；(5)絕緣層厚度為幾個(gè)微米的樣品質(zhì)譜分析 功能...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：真空度達(dá)1X10-6乇，襯底溫度可達(dá)100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應(yīng)用范圍：有2個(gè)DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類(lèi)材料薄膜或多層不同薄膜，...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應(yīng)用范圍：材料微細(xì)加工及樣品制備。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析?！ ≈饕獪y(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應(yīng)用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：重復(fù)頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs 功能/應(yīng)用范圍：超快光譜學(xué)、非線(xiàn)性光學(xué) 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：8寸 功能/應(yīng)用范圍：拋光硅片 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方式 ...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW 功能/應(yīng)用范圍：可用于氧化物等薄...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)： *dc-4.1GHz頻率覆蓋，具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調(diào)，對(duì)許多標(biāo)準(zhǔn)制式的單鍵設(shè)置 *Agilent獨(dú)特的差錯(cuò)分析特性，包括隨時(shí)間變化的EVM，隨時(shí)間變化的相...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1、Loadlock預(yù)抽真空；2、本底真空：2*10e-8Torr；3、基板加熱，0-400度；4、基板旋轉(zhuǎn)速度可調(diào)，1-20rpm；5、三路氣體，可反應(yīng)濺射；6、五個(gè)2英寸濺射槍?zhuān)鸵粋€(gè)3...
上海楊浦區(qū)
