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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標：波長范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費標準：其它收費...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應(yīng)用范圍：材料微細加工及樣品制備?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術(shù)指標：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術(shù)指標：分辨率125?！ 」δ?應(yīng)用范圍：鈹以上元素定性分析?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù) 收費標準：按樣品、小時數(shù)收費 儀...
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主要技術(shù)指標：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應(yīng)用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測試和研究領(lǐng)域...
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主要技術(shù)指標：高真空 功能/應(yīng)用范圍：制備薄膜 主要測試和研究領(lǐng)域：其他 收費標準：按樣品、小時數(shù)收費 儀器負責(zé)人：金慶原 電話：65642059...
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主要技術(shù)指標：振蕩級:中心波長:800nm,脈沖寬度100fs,500mW,放大級:100fs,800mW,參量放大級:450-750nm 功能/應(yīng)用范圍：主要用于雙光子熒光材料的激發(fā) ...
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主要技術(shù)指標：背景真空：3*10-10mbar(原指標)；5*10-11mbar(目前可達指標)。配備LEED/Auger,RHEED 功能/應(yīng)用范圍：磁性超薄膜生長和性能測試 主要測...
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主要技術(shù)指標：振蕩級(Tsunami)：波長720-850nm,脈寬100fs，重復(fù)頻率82MHz，功率達750mW。再生放大(Spitfire)：1kHz/0.7W 功能/應(yīng)用范圍：磁性材料動力學(xué)研究...
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主要技術(shù)指標：1)Chambersize:600*750*620mm2)Ultimatepressure:8.0*10-7mbar3)3*4"Magnetrons(2*DC&1*rf)4)Co-sputteringprocess5)targetdiameter:100mm...
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主要技術(shù)指標：重復(fù)頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs 功能/應(yīng)用范圍：超快光譜學(xué)、非線性光學(xué) 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費標準：其它收...
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主要技術(shù)指標：8寸 功能/應(yīng)用范圍：拋光硅片 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費標準：其它收費方式 ...
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主要技術(shù)指標：橫向分辨率200-300nm，縱向500-700nm，工作深度約200um 功能/應(yīng)用范圍：細胞熒光成像與微區(qū)光譜研究雙光子激發(fā)熒光成像 主要測試...
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主要技術(shù)指標：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW 功能/應(yīng)用范圍：可用于氧化物等薄...
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主要技術(shù)指標： *dc-4.1GHz頻率覆蓋，具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調(diào)，對許多標準制式的單鍵設(shè)置 *Agilent獨特的差錯分析特性，包括隨時間變化的EVM，隨時間變化的相...
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主要技術(shù)指標：1、Loadlock預(yù)抽真空；2、本底真空：2*10e-8Torr；3、基板加熱，0-400度；4、基板旋轉(zhuǎn)速度可調(diào)，1-20rpm；5、三路氣體，可反應(yīng)濺射；6、五個2英寸濺射槍，和一個3...
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主要技術(shù)指標：電流精度10fA電容高頻1MHz 功能/應(yīng)用范圍：用于半導(dǎo)體器件的電學(xué)(IV、CV)特性測試 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) ...
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主要技術(shù)指標：AFM噪聲水平0.3,可對云母、石墨原子像成像控制器反饋相應(yīng)時間：2s,采樣率50MHZ掃描范圍：0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
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主要技術(shù)指標：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa，進樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優(yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達800oC 功能/應(yīng)用范...
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主要技術(shù)指標：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)?？勺銎胀R射、共濺射和反應(yīng)濺射，可對樣...
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