圓二色光譜儀

技術(shù)指標(biāo) 波長(zhǎng):163-900NM變溫范圍:-10-110度光譜帶寬:0.01-15µm 儀器用途 手性物質(zhì)的圓二色性

揚(yáng)州大學(xué)測(cè)試中心

激光拉曼光譜儀

技術(shù)指標(biāo) 波譜范圍:12-8000譜數(shù);785nm,532nm,325nm三個(gè)激發(fā)波長(zhǎng);溫度范圍:-196-600度 儀器用途 材料\化學(xué)\物理\生物\醫(yī)學(xué)...

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單晶X射線(xiàn)衍射儀

技術(shù)指標(biāo) 最大功率3KW,4KCCD;Cu靶,Mo靶;暗電流<0.1el/pixel/s 儀器用途 晶體結(jié)構(gòu)測(cè)定

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電子順磁共振波譜儀

技術(shù)指標(biāo) 最大磁場(chǎng)強(qiáng)度14.5Kg;穩(wěn)定性5mG;性噪比:1500:1;絕對(duì)自旋數(shù)2*E9 儀器用途 檢測(cè)未成對(duì)電子

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電感耦合等離子體質(zhì)譜儀

　　技術(shù)指標(biāo)　　代表元素靈敏度：In>25Mcps/(mg/L);質(zhì)量范圍：5～270amu；穩(wěn)定性：RSD

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場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

技術(shù)指標(biāo) 加速電壓0.5-30KV、放大倍數(shù)20-800000、分辨率1.0nm 儀器用途 表面形態(tài)分析、元素分析

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傅立葉變換紅外系統(tǒng)

技術(shù)指標(biāo) 分辨率0.1波數(shù)，0.07(未切趾) 儀器用途 有機(jī)物\材料\高分子化合物等結(jié)構(gòu)分析及化學(xué)成像

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300KV高分辨透射電鏡

　　技術(shù)指標(biāo)　　最高放大倍數(shù)：TEM100萬(wàn)倍;STEM230萬(wàn)倍點(diǎn)分辨率：0.20nm線(xiàn)分辨率：0.102nmSTEMHAADF分辨率：0.17nm最高加速電壓:300KV。　　儀器用途　　生物、醫(yī)學(xué)、材料...

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能量色散型X射線(xiàn)熒光光譜儀

　　技術(shù)指標(biāo) 　　可分析的元素范圍：Na-U；可分析薄膜鍍層厚度范圍：100納米-50微米；探測(cè)器對(duì)MnKα線(xiàn)的分辨率優(yōu)于155eV。 　　儀器用途 ...

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熱分析系統(tǒng)（DSC,TGA,TMA,DMA,DIL)

技術(shù)指標(biāo) 差示掃描量熱儀DSC：溫度范圍：-70～750℃，溫度精度：小于±0.008℃，量熱靈敏度：0.18?w，最快程控升降溫速率：750℃/min熱重分析儀TGA：溫度范圍：室溫～...

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X射線(xiàn)光電子能譜儀

　　技術(shù)指標(biāo)　　最佳空間分辨率：≤3μm;最佳能量分辨率：≤0.45ev;;大面積,能量分辨率≤0.50ev，靈敏度400,000cps;空間分辨率20μm，能量分辨率≤0.50ev，靈敏度500cps.　　儀器用途...

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固體同位素質(zhì)譜儀

　　技術(shù)指標(biāo) 　　143Nd/144Nd誤差<5ppm；87Sr/86Sr<10ppm；206Pb/204Pb<0.2%；11B/10B<1‰ 　　儀器用途 　　化學(xué)；地球...

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固體核磁共振儀

技術(shù)指標(biāo)?超導(dǎo)磁體磁場(chǎng)：9.395T(對(duì)應(yīng)于1H共振頻率400MHz)。最大射頻脈沖功率：1KW?？蓽y(cè)量核：旋磁比γ大于109Ag的、核自旋I≠0的所有原子核(例如：1H、13C、109Ag、39K、35Cl、29...

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超級(jí)刀片集群系統(tǒng)

技術(shù)指標(biāo) 系統(tǒng)包括10個(gè)HS22登錄節(jié)點(diǎn)，402個(gè)HS22計(jì)算節(jié)點(diǎn)，每節(jié)點(diǎn)：CPUIntelE55502.66GHz，MemoryDDRIII1333MHz12GB，DiskSAS146GB，20GbpsInfiniband網(wǎng)卡，雙千兆...

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氦液化設(shè)備

技術(shù)指標(biāo) 39升/小時(shí)液氦(有液氮預(yù)冷)；23升/小時(shí)液氦(無(wú)液氮預(yù)冷)。 儀器用途 為相關(guān)教學(xué)科研設(shè)備提供液氦低溫冷源。液氦是現(xiàn)階段極端條件(極...

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MOCVD系統(tǒng)

技術(shù)指標(biāo)?溫度控制精度±1℃，生長(zhǎng)GaN材料濃度在1×1017cm-2時(shí)遷移率達(dá)到500cm2/v*s以上；P型參雜濃度達(dá)到LED生長(zhǎng)技術(shù)要求的1×1012cm2以上。?儀器用途?寬禁帶半...

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電子能譜儀

技術(shù)指標(biāo) FWHM小于等于0.6ev；靈敏度大于等于15000cps 儀器用途 單色化xps

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電子束光刻機(jī)

　　技術(shù)指標(biāo) 　　電子束斑：1kV加速電壓時(shí)小于4nm，20kV加速電壓時(shí)小于2nm；束流大小漂移：小于0.5%/8小時(shí)；束斑位置漂移：小于300nm/小時(shí)。 　　儀器用途...

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電子顯微分析系統(tǒng)

技術(shù)指標(biāo) 分辨率1nm 儀器用途 物理學(xué)

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分子束外延及低溫掃描隧道顯微系統(tǒng)

技術(shù)指標(biāo)?三個(gè)電子束蒸發(fā)源(可擴(kuò)充至8個(gè))，低溫掃描隧道顯微系統(tǒng)最低溫度5K、磁場(chǎng)0.15T，QPlus的原子力顯微鏡，低溫磁光系統(tǒng)最低溫度20K、磁場(chǎng)1.4T，俄歇電子能譜儀，低能電子衍射...

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