磁控濺射系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：真空度達(dá)1X10-6乇，襯底溫度可達(dá)100度直流濺射電源功率1000瓦　　功能/應(yīng)用范圍：有2個(gè)DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜，...

復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系

多功能光學(xué)分析儀（帶軟件）

主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)...

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雙束聚焦離子束系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍　　功能/應(yīng)用范圍：材料微細(xì)加工及樣品制備。　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...

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場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

　　主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm?！　」δ?應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析。　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...

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X射線能譜儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率125?！　」δ?應(yīng)用范圍：鈹以上元素定性分析。　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)　　收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：按樣品、小時(shí)數(shù)收費(fèi)　　儀...

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磁控濺射裝置

　　主要技術(shù)指標(biāo)：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 　　功能/應(yīng)用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域...

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飛秒激光器系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：重復(fù)頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs　　功能/應(yīng)用范圍：超快光譜學(xué)、非線性光學(xué)　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù)　　收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收...

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化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：8寸 　　功能/應(yīng)用范圍：拋光硅片 　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 　　收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方式 　...

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電子束光學(xué)鍍膜機(jī)系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW　　功能/應(yīng)用范圍：可用于氧化物等薄...

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矢量信號(hào)分析儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：　　*dc-4.1GHz頻率覆蓋，具有36MHz分析帶寬　　*靈活的解調(diào)，對(duì)許多標(biāo)準(zhǔn)制式的單鍵設(shè)置　　*Agilent獨(dú)特的差錯(cuò)分析特性，包括隨時(shí)間變化的EVM，隨時(shí)間變化的相...

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高真空多靶磁控濺射儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：1、Loadlock預(yù)抽真空；2、本底真空：2*10e-8Torr；3、基板加熱，0-400度；4、基板旋轉(zhuǎn)速度可調(diào)，1-20rpm；5、三路氣體，可反應(yīng)濺射；6、五個(gè)2英寸濺射槍，和一個(gè)3...

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電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：電流精度10fA電容高頻1MHz 　　功能/應(yīng)用范圍：用于半導(dǎo)體器件的電學(xué)(IV、CV)特性測(cè)試 　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) ...

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掃描探針顯微鏡

　　主要技術(shù)指標(biāo)：AFM噪聲水平0.3,可對(duì)云母、石墨原子像成像控制器反饋相應(yīng)時(shí)間：2s,采樣率50MHZ掃描范圍：0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...

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納米器件濺射儀

主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa，進(jìn)樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優(yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達(dá)800oC 功能/應(yīng)用范...

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存儲(chǔ)薄膜濺射儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準(zhǔn)備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)?？勺銎胀R射、共濺射和反應(yīng)濺射，可對(duì)樣...

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集成電路自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

　主要技術(shù)指標(biāo)：數(shù)字通道：16路P1000數(shù)字通道；128路C400e數(shù)字通道；80路C200e數(shù)字通道模擬通道：一塊AV8，含四路24bit音頻DAC/ADC模塊，四路14bit視頻DAC/ADC模塊一塊WGD，500MspsAW...

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原位納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：納米壓痕試驗(yàn)縱向載荷力和位移可實(shí)現(xiàn)的最大載荷：10mN位移分辨率：0.0004nm可實(shí)現(xiàn)的最大位移：5μm2納米劃痕試驗(yàn)橫向載荷力和位移可實(shí)現(xiàn)的最小橫向力：<5μN...

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納米熱分析系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率10X10納米Multimode8型　　功能/應(yīng)用范圍：納米材料表面形貌、納米薄膜粗糙度研究，納米材料粒徑測(cè)量、納米復(fù)合材料相組成研究及復(fù)合材料界面研究...

復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院

強(qiáng)磁場(chǎng)低溫系統(tǒng)

主要技術(shù)指標(biāo)：最大磁場(chǎng)15T，最低溫度300mK　　功能/應(yīng)用范圍：低溫時(shí)測(cè)量樣品在磁場(chǎng)下電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)　　技術(shù)特色：垂直樣品的磁場(chǎng)能達(dá)到15T，測(cè)量噪聲低　　...

復(fù)旦大學(xué)分析測(cè)試中心

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

主要技術(shù)指標(biāo)：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc　　功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜　　主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技...

復(fù)旦大學(xué)分析測(cè)試中心