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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復(fù)頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內(nèi)>2.5W?功能/應(yīng)用范圍：c?主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
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主要技術(shù)指標(biāo)：系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)可達(dá)≤5x10-8Torr；30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個(gè)，坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應(yīng)用范圍：主要用于...
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加熱和冷卻裝置；下電極溫度范圍-150°C…+400°C；刻蝕氣體8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。...
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主要技術(shù)指標(biāo)：該綜合物性測(cè)量系統(tǒng)主機(jī)PPMS-9能提供9特斯拉強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境；完全無(wú)液氦杜瓦系統(tǒng)P935A能提供極低溫實(shí)驗(yàn)環(huán)境(1.9-400K)；選配的交直流磁學(xué)測(cè)量系統(tǒng)可測(cè)量材料的交流和直流磁化率、...
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超連續(xù)光纖激光器 (Supercontinuum fibre Lasers)
主要技術(shù)指標(biāo)：該綜合物性測(cè)量系統(tǒng)主機(jī)PPMS-9能提供9特斯拉強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境；完全無(wú)液氦杜瓦系統(tǒng)P935A能提供極低溫實(shí)驗(yàn)環(huán)境(1.9-400K)；選配的交直流磁學(xué)測(cè)量系統(tǒng)可測(cè)量材料的交流和直流磁化率、...
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主要技術(shù)指標(biāo)：SHG：350-500nmTHG：240-320nm。相對(duì)于Mira900-D的轉(zhuǎn)換效率SHG>15%(700-900nm);>10(900-1000nm);THG4(700-900nm);2(900-1000nm).?功能/應(yīng)用范圍：針對(duì)飛秒型(M...
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主要技術(shù)指標(biāo)：簡(jiǎn)單穩(wěn)定的KLM鎖模，易于使用，可靠性高棱鏡或GTI補(bǔ)償GVD，獲得類孤子、接近轉(zhuǎn)換極限的脈沖X-Wave寬帶腔鏡組,覆蓋700-1000nm的調(diào)諧范圍(包括飛秒、皮秒組件)采用VerdiV18泵浦...
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主要技術(shù)指標(biāo)：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數(shù)量6個(gè) 功能/應(yīng)用范圍：在高氣分下生長(zhǎng)高質(zhì)量的單晶薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
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真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)
主要技術(shù)指標(biāo)：(1)每臺(tái)真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導(dǎo)引管需安裝在compactZstage,移動(dòng)范圍...
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主要技術(shù)指標(biāo)：最大磁場(chǎng)15T，最低溫度300mK 功能/應(yīng)用范圍：低溫時(shí)測(cè)量樣品在磁場(chǎng)下電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì) 技術(shù)特色：垂直樣品的磁場(chǎng)能達(dá)到15T，測(cè)量噪聲低 ...
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主要技術(shù)指標(biāo)：脈沖寬度：30-100fs;重復(fù)頻率：1kHz;調(diào)諧范圍：800-18000nm脈沖能量：1-1000uJ 功能/應(yīng)用范圍：光譜；超快動(dòng)力學(xué)研究 主要測(cè)試和研究領(lǐng)...
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型號(hào)規(guī)格：定制、非標(biāo)設(shè)計(jì) 所屬部門(mén)：物理學(xué)系 產(chǎn)地國(guó)別：中國(guó) 生產(chǎn)廠商：中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司 存放地點(diǎn)：先進(jìn)...
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主要技術(shù)指標(biāo)：CCD：100*1340pixels，CCD效率：400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵：150G/mm，300G/mm，1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm，1200G/mmwi...
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)：1064nm；脈沖寬度：30ps；重復(fù)頻率：20Hz；脈沖能量35mJ 功能/應(yīng)用范圍：皮秒光譜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
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主要技術(shù)指標(biāo)：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技...
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主要技術(shù)指標(biāo)：測(cè)量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復(fù)頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內(nèi)>2.5W 功能/應(yīng)用范圍：線性和非線性光譜測(cè)試，超快動(dòng)力學(xué)研究。...
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加熱和冷卻裝置；下電極溫度范圍-150°C…+400°C；刻蝕氣體8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。...
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