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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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激光共聚焦顯微鏡 (confocal laser fluorescence microscopy)
主要技術(shù)指標(biāo)：1、熒光共聚焦觀察，63X，100X油鏡，倒置2、全內(nèi)反射成像 功能/應(yīng)用范圍：功能：三維熒光成像、FILP，F(xiàn)RAP，F(xiàn)RET等應(yīng)用范圍：納米材料、物理、化學(xué)、高分子、...
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.分辨率EnergyResolution:在MnKa線處測(cè)量分辨率≤127eVEnergyresolution≤127eV,atMnKaline2.超輕元素分辨率LightElementEnergyResolution:在FKa線處測(cè)量分...
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場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡(Field Emission Transmission Electron Microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：點(diǎn)分辨率：0.24nm,晶格分辨：0.102nm,信息分辨率：0.14nm,STEM分辨率：0.20nmEDS(能譜儀)能量分辨率：<127eV,元素范圍：Be-Cf 功能/應(yīng)用范圍：納米材...
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Electron Beam Evaporator)
主要技術(shù)指標(biāo)：.真空<3X10-9托 功能/應(yīng)用范圍：現(xiàn)有功能：a.三個(gè)室:進(jìn)樣室、分析室、生長(zhǎng)室。b.二個(gè)蒸發(fā)源、一個(gè)P型摻雜源和一路反應(yīng)氣體c.反射高能電子衍射儀(RHEED)d.四...
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硅分子束外延系統(tǒng) (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)
主要技術(shù)指標(biāo)：真空<1X10-9torr 功能/應(yīng)用范圍：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band...
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物理特性測(cè)試系統(tǒng) (physical property measurement system)
主要技術(shù)指標(biāo)：溫度范圍：1.9-400K；磁場(chǎng)：+-9TACMS選件：交流磁化率：2*10-8emu；直流磁化率：2.5*10-5emu；VSM選件：直流磁化率：10-7emuACT交流電輸運(yùn)；Resistivity電阻(<=4M歐姆...
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飛秒脈沖激光器系統(tǒng) (Ultrafast Pulse laser system)
主要技術(shù)指標(biāo)：飛秒脈沖激光系統(tǒng)，脈沖寬度為150fs，單脈沖能量為800uJ(波長(zhǎng)800nm處)，重復(fù)頻率為1000Hz 功能/應(yīng)用范圍：可以研究fs量級(jí)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，測(cè)量光子壽命&nbs...
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磁光測(cè)量低溫恒溫系統(tǒng) (magneto plasmadynamic measurement low temperature
主要技術(shù)指標(biāo)：用于磁光效應(yīng)的檢測(cè)，可以測(cè)量其偏振性，相干性 功能/應(yīng)用范圍：磁體，光學(xué)測(cè)量 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾其他...
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拉曼熒光光譜儀 (Raman fluorescent Spectrograph)
主要技術(shù)指標(biāo)：配有633nm激光，也可以引入其他波長(zhǎng)激光器，鏡頭有10，40，50倍，可以進(jìn)行熒光的測(cè)量和拉曼散射的測(cè)量 功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量熒光光譜，拉曼散射譜 ...
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光子壽命測(cè)量控制裝置 (Photon life measurement control equipment)
主要技術(shù)指標(biāo)：可以測(cè)量fs量級(jí)的粒子壽命，研究光學(xué)材料的性能 功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量光子壽命 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾其他...
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熒光光譜儀 (Fluorescence spectroscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：焦距320mm孔徑f/4.1光譜范圍150~1500nm，用1200條/mm光柵；光柵尺寸68mmx68mm支座上最多可裝光柵數(shù)3平場(chǎng)尺寸30mmx12mm分辨率(用出口狹縫和光電倍增管時(shí))0.06nm波...
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氧化物薄膜分子束外延設(shè)備 (oxide molecular beam exptaxy system)
主要技術(shù)指標(biāo)：真空度10e-9mbar8個(gè)單質(zhì)蒸發(fā)源單原子層精度控制氧化物薄膜生長(zhǎng)襯底10X10mm 功能/應(yīng)用范圍：小尺寸氧化物薄膜生長(zhǎng) 技術(shù)特色：?jiǎn)卧訉泳瓤刂蒲趸?..
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主要技術(shù)指標(biāo)：實(shí)時(shí)顯示數(shù)據(jù)結(jié)果，10秒鐘以內(nèi)成像方式，脫離對(duì)傳統(tǒng)膠片等化學(xué)污染品的依賴，整個(gè)系統(tǒng)應(yīng)具有多自由度調(diào)節(jié)，可以任意調(diào)整到需要的實(shí)驗(yàn)位置。換樣時(shí)間小于5分鐘，方便迅速。...
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主要技術(shù)指標(biāo)：Avg.ModelockedPower:>300mW Bandwidth:>70nm CentralWavelength(nominal):800nm RepetitionRate:80MHz PulseWidth:<20fs Internal...
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