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Mosfet檢測(cè)試分析

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Mosfet檢測(cè)試分析 ** 華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA “華則檢測(cè)”專(zhuān)業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu) Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”專(zhuān)業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個(gè)設(shè)備N(xiāo)O.1、水平NO.1、專(zhuān)業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”，對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。 Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車(chē)用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車(chē)用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域， Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMAMosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA 服務(wù)目錄 Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA 一、失效分析測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1) 檢測(cè)項(xiàng)目：開(kāi)短路檢測(cè) 4 (2) 檢測(cè)項(xiàng)目：漏電檢測(cè) 4 (3) 檢測(cè)項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀(guān)或形貌確認(rèn) 4 (4) 檢測(cè)項(xiàng)目：尺寸測(cè)量 4 (5) 檢測(cè)項(xiàng)目：超聲波檢測(cè)(SAT) 4 (6) 檢測(cè)項(xiàng)目：X-ray檢測(cè) 5 (7) 檢測(cè)項(xiàng)目：推拉力檢測(cè) 5 (8) 檢測(cè)項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測(cè) 5 (9) 檢測(cè)項(xiàng)目：剖面分析 5 (10) 檢測(cè)項(xiàng)目：樣品開(kāi)封 5 二、電學(xué)檢測(cè) ·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1) 檢測(cè)項(xiàng)目：直流參數(shù) 6 (2) 檢測(cè)項(xiàng)目：雪崩能量 6 (3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻 6 (4) 檢測(cè)項(xiàng)目：開(kāi)關(guān)時(shí)間（器件級(jí)） 6 (5) 檢測(cè)項(xiàng)目：開(kāi)關(guān)時(shí)間（模塊級(jí)） 6 (6) 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級(jí)） 6 (7) 檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級(jí)） 6 (8) 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級(jí)） 7 (9) 檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（器件級(jí)） 7 (10) 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級(jí)） 7 (11) 檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級(jí)） 7 (12) 檢測(cè)項(xiàng)目：結(jié)電容 7 (13) 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（器件級(jí)） 7 (14) 檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級(jí)） 7 (15) 檢測(cè)項(xiàng)目：參數(shù)曲線(xiàn)掃描 8 (16) 檢測(cè)項(xiàng)目：ESD能力 8 (17) 檢測(cè)項(xiàng)目：正向浪涌能力 8 三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè) ·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1) 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣參數(shù) 9 (2) 檢測(cè)項(xiàng)目：保護(hù)功能測(cè)試 9 (3) 檢測(cè)項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測(cè)試 9 (4) 檢測(cè)項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試 9 (5) 檢測(cè)項(xiàng)目：絕緣電阻測(cè)試 10 (6) 檢測(cè)項(xiàng)目：接地電阻測(cè)試 10 (7) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫測(cè)試 10 (8) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫測(cè)試 10 (9) 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試 10 (10) 檢測(cè)項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測(cè)試 10 (11) 檢測(cè)項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測(cè)試 10 (12) 檢測(cè)項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試 11 四、可靠性測(cè)試 ·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1) 檢測(cè)項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC) 12 (2) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫門(mén)極試驗(yàn)(HTGB) 12 (3) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) 12 (4) 檢測(cè)項(xiàng)目：低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) 12 (5) 檢測(cè)項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) 12 (6) 檢測(cè)項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) 12 (7) 檢測(cè)項(xiàng)目：無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) 13 (8) 檢測(cè)項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) 13 (9) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) 13 (10) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) 13 (11) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) 13 (12) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB) 13 (13) 檢測(cè)項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) 13 (14) 檢測(cè)項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) 14 (15) 檢測(cè)項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) 14 (16) 檢測(cè)項(xiàng)目：潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) 14 (17) 檢測(cè)項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability) 14 一、失效分析測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1)檢測(cè)項(xiàng)目：開(kāi)短路檢測(cè) ?覆蓋產(chǎn)品：IC ?檢測(cè)能力：滿(mǎn)足128pin及以下引腳IC的open/short測(cè)試、曲線(xiàn)跟蹤分析、漏電流測(cè)試；Max電壓7V，電壓精度1mV，Max電流 500mA，電礪度 10nA； ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶(hù)要求 (2)檢測(cè)項(xiàng)目：漏電檢測(cè) ?覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測(cè)方式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：Max電壓3000V，Max電流5A。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶(hù)要求 (3)檢測(cè)項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀(guān)或形貌確認(rèn) ?覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍； ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶(hù)要求 (4)檢測(cè)項(xiàng)目：尺寸測(cè)量 ?覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍； ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶(hù)要求 (5)檢測(cè)項(xiàng)目：超聲波檢測(cè)(SAT) ?覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶具有分層面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識(shí)，厚度與距離測(cè)量等功能?？蛇M(jìn)行A-scan（點(diǎn)掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶GuoJun標(biāo) (6)檢測(cè)項(xiàng)目：X-ray檢測(cè) ?覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識(shí)，厚度與距離測(cè)量等功能?？蛇M(jìn)行二維掃描、三維CT掃描。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GuoJun標(biāo) (7)檢測(cè)項(xiàng)目：推拉力檢測(cè) ?覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測(cè)試頭，測(cè)試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測(cè)試頭，測(cè)試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ GuoJun標(biāo) (8)檢測(cè)項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測(cè) ?覆蓋產(chǎn)品∶IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價(jià)鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測(cè)。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測(cè)限可達(dá)2ppm。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC (9)檢測(cè)項(xiàng)目：剖面分析 ?覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：金相樣品制備、樣品觀(guān)察、樣品染色。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶(hù)要求 (10)檢測(cè)項(xiàng)目：樣品開(kāi)封 ?覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：激光開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、樣品剝層。 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶(hù)要求二、電學(xué)檢測(cè)·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1)檢測(cè)項(xiàng)目：直流參數(shù) ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品； ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓7500V檢測(cè)Max電流6000A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC (2)檢測(cè)項(xiàng)目：雪崩能量 ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2500V檢測(cè)Max電流200A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo) (3)檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻 ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 ?檢測(cè)能力∶檢測(cè)阻抗∶0.1Ω～50Ω ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶JEDEC (4)檢測(cè)項(xiàng)目：開(kāi)關(guān)時(shí)間（器件級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件； ?檢測(cè)能力：Max電壓1200V Max電流200A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 (5)檢測(cè)項(xiàng)目：開(kāi)關(guān)時(shí)間（模塊級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC (6)檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC (7)檢測(cè)項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力：Max電壓1200V Max電流200A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 (8)檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC (9)檢測(cè)項(xiàng)目：柵極電荷（器件級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力：Max電壓1200V Max電流200A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 (10)檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓2700V，檢測(cè)Max電流10000A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC (11)檢測(cè)項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓1200V，檢測(cè)Max電流1000A； ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 (12)檢測(cè)項(xiàng)目：結(jié)電容 ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件 ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓3000V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：IEC (13)檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（器件級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體單管器件 ?檢測(cè)能力：功率250W ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC (14)檢測(cè)項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級(jí)） ?覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：Max功率4000W ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC (15)檢測(cè)項(xiàng)目：參數(shù)曲線(xiàn)掃描 ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線(xiàn) ?檢測(cè)能力：檢測(cè)Max電壓3000V檢測(cè)Max電流1500A溫度-70°C~180°C ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，IEC等 (16)檢測(cè)項(xiàng)目：ESD能力 ?覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：HBMMax電壓8000V；MMMax電壓800V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等 (17)檢測(cè)項(xiàng)目：正向浪涌能力 ?覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC)、整流橋； ?檢測(cè)能力：Max電流800A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo) 三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè)·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1)檢測(cè)項(xiàng)目：電氣參數(shù) ?覆蓋產(chǎn)品：開(kāi)關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。 ?檢測(cè)能力：低壓AC/DC電源：?jiǎn)蜗郙ax輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板：直流輸入電壓/功率100V/5KW ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (2)檢測(cè)項(xiàng)目：保護(hù)功能測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：開(kāi)關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。 ?檢測(cè)能力：低壓AC/DC電源：?jiǎn)蜗郙ax輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板：直流輸入電壓/功率100V/5KW ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (3)檢測(cè)項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：開(kāi)關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板、鋰電保護(hù)板。 ?檢測(cè)能力：Max峰值電壓：1.5KV；Max有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：元器件規(guī)格，客戶(hù)要求等 (4)檢測(cè)項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (5)檢測(cè)項(xiàng)目：絕緣電阻測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (6)檢測(cè)項(xiàng)目：接地電阻測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：30A/600mΩ ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (7)檢測(cè)項(xiàng)目：低溫測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：Mini溫度：-70℃ ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (8)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：High溫度：~180℃ ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (9)檢測(cè)項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺(tái)） ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (10)檢測(cè)項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等 (11)檢測(cè)項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶1.2/50us綜合波的開(kāi)路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開(kāi)路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等； (12)檢測(cè)項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試 ?覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力：9KHz~ 30MHz ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)標(biāo)，IEC，客戶(hù)要求等四、可靠性測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA (1)檢測(cè)項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC) ?覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊 ?檢測(cè)能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A，12V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC 客戶(hù)自定義 (2)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫門(mén)極試驗(yàn)(HTGB) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件 ?檢測(cè)能力∶溫度High150℃;電壓High2000V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (3)檢測(cè)項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (4)檢測(cè)項(xiàng)目：低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) ?覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃ ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (5)檢測(cè)項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃ ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (6)檢測(cè)項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃，電壓電流Max48V，10A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (7)檢測(cè)項(xiàng)目：無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度130℃ 濕度85% ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (8)檢測(cè)項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) ?覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類(lèi)型器件 ?檢測(cè)能力∶設(shè)備滿(mǎn)足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (9)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (10)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力∶溫度High150℃，電壓High2000V ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (11)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) ?覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度High150℃; ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (12)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98% ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (13)檢測(cè)項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) ?覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流Max48V，10A ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (14)檢測(cè)項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) ?覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85% ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (15)檢測(cè)項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) ?覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 ?檢測(cè)能力∶溫度121℃ 濕度1 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (16)檢測(cè)項(xiàng)目：潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) ?覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類(lèi)型器件 ?檢測(cè)能力∶設(shè)備滿(mǎn)足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求 ?執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等 (17)檢測(cè)項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability) ?覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ?檢測(cè)能力∶有鉛、無(wú)鉛均可進(jìn)行執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶(hù)自定義等五、其它測(cè)試·Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”專(zhuān)業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個(gè)設(shè)備N(xiāo)O.1、水平NO.1、專(zhuān)業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”，對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。 Mosfet檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車(chē)用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車(chē)用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，

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