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雙脈沖測試系統(tǒng)

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品　　牌：
華科智源

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出廠價：
1

主要規(guī)格：

用　　途：
igbt測試，mos，二三極管，晶體管測試

IGBT雙脈沖測試平臺該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過特制測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試品牌：華科智源名稱：雙脈沖測試平臺型號： PT-1224 用途：測試動態(tài)參數(shù) 1.1 原理簡述雙脈沖測試平臺主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測量過程中各種動態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評估 FRD 和 IGBT 二十多種動態(tài)參數(shù)重要測量手段。同時也是功率元件驅(qū)動及保護電路參數(shù)調(diào)整和驗證的測量平臺。 1.2 原理框圖 1.3 主要作用 1、測試對比不同 IGBT 的參數(shù)； 2、評估驅(qū)動的功能和性能； 3、獲取 IGBT 在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適； 4、開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 5、評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量； 6、IGBT 關(guān)斷時的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩； 7、評估 IGBT 并聯(lián)的均流特。 8、測量母排和系統(tǒng)的雜散電感。 9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可以定制開發(fā)適配版。電源范圍 0～1000VDC 加熱范圍室溫～200℃ 測試電流 0～2400A 負載電感 50uH\100uH\200uH\500uH （標(biāo)配 2 種）脈寬調(diào)制范圍 5～400us 脈寬顯示屏 4 寸通過此設(shè)備與示波器連接測試項目開通參數(shù) 關(guān)斷參數(shù) Frd 反向恢復(fù)參數(shù) 開通最大尖峰電流 Ic-peak max 關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max 最大反向恢復(fù)電流 IRM 開通時間 Ton 關(guān)斷時間 Toff 反向恢復(fù)損耗 Erec 開通延遲 Td-on 關(guān)斷延遲 Td-off 反向恢復(fù)時間 Trr 開通電壓變化率 dv/dt-on 關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off 反向恢復(fù)電荷 Qrr 開通電流變化率 di/dt-on 關(guān)斷電流變化率 di/dt-off 反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak 開通電壓下降時間 tf-v-on 關(guān)斷電壓上升時間 tr-v-off 前沿電流變化率 di/dt-r 開通電流上升時間 tr-i-on 關(guān)斷電流下降時間 tf-i-off 后沿電流變化率 di/dt-f 開通損耗 Eon Ic 拖尾電流值 It 反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr Ic 拖尾時間 Tt 最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak 關(guān)斷損耗 Eoff

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