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IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀 華科智源

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  • 品　　牌：
  • 華科智源
  • 主要規(guī)格：
  • 用　　途：
  • igbt測試儀
    • IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。 IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀概述 測試電壓：zui大1200 VDC 200（短路電流可達1000A） 定時測量：zui低為1 ns 漏電流限制監(jiān)視器 - MOSFET開關(guān)時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps - MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps - Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us - MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps - IGBT感性開關(guān)時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH - IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A 測試標準： - MIL-STD-750 Series ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀選項 額外的電源供應器 額外的測試頭 大包裝適配器 ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀測試頭 ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關(guān)時間 ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473 ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471 ITC57240 - 電感式開關(guān)時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477 ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479

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