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具體來說，霍爾效應傳感器由一塊薄的矩形p型半導體材料組成，例如砷化鎵，銻化銦或砷化銦，它們經過本身接連的電流。當器材放置在磁場中時，磁通線在半導體材料上施加力，該力使電荷載流子，電子和空穴偏轉到半導體板的任一側。電荷載流子的這種運動是它們經過半導體材料所飽受的磁力的效果。當這些電子和空穴移動側邊時，經過這些電荷載流子的積累在半導體材料的兩頭之間發(fā)作差分電壓即電位差。
霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器?；魻栃谴烹娦囊环N。
這一現(xiàn)象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件，地應用于工業(yè)自動化技術、檢測技術及信息處理等方面?；魻栃茄芯堪雽w材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。
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