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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 上海優(yōu)質(zhì)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)供應(yīng) 雷卯供
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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 上海優(yōu)質(zhì)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)供應(yīng) 雷卯供
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱 MOSFET。是一種可以使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為N-MOSFET與P-MOSFET, MOSFET 用于電路電子開關(guān)。
MOSFET的選用技巧:
1.選用N溝道還是P溝道,在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮;
2.額定電壓越大,器件的成本就越高,VDS必須覆蓋電路額定工作電壓范圍并且注意溫度曲線;
3.確定額定電流,額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的相當(dāng)大電流;
4.選好額定電流后,還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而變化。器件功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOSFET施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會(huì)越?。环粗甊DS(ON)就會(huì)要折中權(quán)衡的地方。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),采用較設(shè)計(jì),可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升;
5.決定開關(guān)性能,是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因?yàn)樵诿看伍_關(guān)時(shí)都要低,器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過(guò)程中器件的總損耗,設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。
上海雷卯電子科技有限公司,品牌LEIDITECH,過(guò)壓過(guò)流保護(hù)元件專業(yè)供應(yīng)商,MOSTET封裝有DFN5X6-8L, SOP-8, SOT-23, SOT-223-3L,SOT-323,SOT-363,TO-220-3L,TO-220F,TO-252-2L,TO-263-2L,TSSOP-8,
DFN2X2-6L,DFN3.3X3.3,DFN3X3。
MOSFET可供應(yīng)型號(hào)(請(qǐng)登錄雷卯官網(wǎng)具體查詢)
LCE4090G
LCE6045G
LCE9926
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LCE6005AS
LM3404
LCE3420
SE2306
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BSS138
LBSS138LT1G
LM23T100V2
LCE3404
LCE3416
LCE6003Y
LM23T20V06
LM2302
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LM2306A
LM3400
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LCE3030K
LCE3050K
LCE6050KA
LCE7560K
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LCE4953
LCE6008AS
LCE9926
SE1505S
LCE2305
LCE3415
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BSS123
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LCE6003
LM2309
LM3407
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SE3401
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