模塊電子兼容測試光模塊EMC測試
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隨著通信技術(shù)的發(fā)展，光模塊以及設(shè)備的數(shù)量和種類不斷增加，使電磁環(huán)境日益復(fù)雜，電磁污染越來越嚴(yán)重。在這種復(fù)雜的電磁環(huán)境中，如何減少各種電子設(shè)備之間的電磁騷擾，提高光模塊的電磁兼容性能，使各種設(shè)備可以共存并能正常工作，已成為電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵內(nèi)容。
電磁兼容EMC（ElectromagneTIc CompaTIbility）設(shè)計(jì)的目的是：電子設(shè)備或系統(tǒng)能在預(yù)期的電磁環(huán)境中正常工作，無性能降低或故障；同時(shí)，對(duì)該電磁環(huán)境不是一個(gè)污染源。為了實(shí)現(xiàn)電磁兼容，先要分析形成電磁干擾的因素，才能找到解決問題的方法。
形成電磁干擾必須同時(shí)具備以下三因素：

① 電磁騷擾源，指產(chǎn)生電磁騷擾的元件、器件、設(shè)備、分系統(tǒng)、系統(tǒng)或自然現(xiàn)象。

② 耦合途徑或稱耦合通道，指把能量從騷擾源耦合（或傳輸）到敏感設(shè)備上的通路或媒介。

③ 敏感設(shè)備，指對(duì)電磁騷擾發(fā)生響應(yīng)的設(shè)備。

針對(duì)以上三個(gè)因素，有多種途徑可以抑制電磁干擾的影響，而從光模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的角度出發(fā)，采用電磁屏蔽的方法來切斷電磁騷擾的耦合途徑，是改善其電磁兼容性能的關(guān)鍵而行之有效的技術(shù)手段之一。

2 電磁屏蔽結(jié)構(gòu)分析
2.1 屏蔽效能
電磁屏蔽就是對(duì)兩個(gè)空間區(qū)域之間進(jìn)行金屬的隔離，以控制電場、磁場和電磁波由一個(gè)區(qū)域?qū)α硪粋€(gè)區(qū)域的感應(yīng)和輻射。具體講，就是用屏蔽體將元部件、電路、組合件、電纜或整個(gè)系統(tǒng)的騷擾源包圍起來，防止騷擾電磁場向外擴(kuò)散；用屏蔽體將接收電路、設(shè)備或系統(tǒng)包圍起來，防止它們受到外界電磁場的影響。因?yàn)槠帘误w對(duì)來自導(dǎo)線、電纜、元部件、電路或系統(tǒng)等外部的騷擾電磁波和內(nèi)部電磁波均起著吸收能量、反射能量和抵消能量的作用，所以屏蔽體具有減弱騷擾的功能。

屏蔽體對(duì)輻射騷擾的抑制能力用電場屏蔽效能SE或磁場屏蔽效能SH來表示：

SE=20lg（E1/E2）（dB）

SH=20lg（H1/H2）（dB）

式中E1、H1分別為未屏蔽時(shí)測得的電場強(qiáng)度和磁場強(qiáng)度；E2、H2分別為屏蔽后測得的電場強(qiáng)度和磁場強(qiáng)度。

2.2 屏蔽材料
要確定應(yīng)該使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能和材料的什么參數(shù)有關(guān)。根據(jù)屏蔽的機(jī)理可以將屏蔽分為三大類：電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。

電場屏蔽是為降低騷擾電場對(duì)敏感電路的耦合電壓，在騷擾源和敏感電路之間設(shè)置導(dǎo)電性好的金屬屏蔽體，并將金屬屏蔽體接地。只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，就能使騷擾電場對(duì)敏感電路的耦合電壓變得很小。電場屏蔽以反射為主，因此屏蔽體的厚度不必過大，可采用薄層屏蔽或者在塑料上鍍一層薄的導(dǎo)電層。

磁場屏蔽有低頻和高頻之分。低頻磁場屏蔽是利用高導(dǎo)磁率的材料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場被集中在屏蔽體內(nèi)。因此屏蔽體的導(dǎo)磁率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。當(dāng)磁場頻率較高時(shí)，高導(dǎo)磁材料的導(dǎo)磁率下降，磁損增加，而應(yīng)采用高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消騷擾磁場來實(shí)現(xiàn)屏蔽。用來屏蔽磁場的屏蔽體均不需接地。

電磁場屏蔽一般采用高導(dǎo)電率的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。它是利用高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消騷擾磁場，又因屏蔽體接地而實(shí)現(xiàn)電場屏蔽。由于隨著頻率的增高，波長變得和屏蔽體上的孔縫尺寸接近，因而電磁場屏蔽的關(guān)鍵除了要采用高導(dǎo)電率材料，還要控制屏蔽體的孔縫泄漏。
屏蔽材料的導(dǎo)電性能和導(dǎo)磁性能分別用相對(duì)電導(dǎo)率σr和相對(duì)磁導(dǎo)率μr來衡量，表1中列出了常用屏蔽材料的σr及μr值［1］。
由此可見，為了提高屏蔽效能，高導(dǎo)電率材料可采用鋁、銅，或者鋁鍍銅，要求更高時(shí)，還可再鍍層銀。高導(dǎo)磁率材料可采用不銹鋼或者鐵，同時(shí)可適當(dāng)增加材料的厚度。

2.3 屏蔽設(shè)計(jì)
有兩個(gè)因素會(huì)影響屏蔽體的屏蔽效能：，屏蔽體必須是完整的，表面可連續(xù)導(dǎo)電；第二，不能有直接穿透屏蔽體的導(dǎo)體，防止造成天線效應(yīng)。但是在實(shí)際應(yīng)用中屏蔽體上往往有散熱孔，或者屏蔽體本身由若干個(gè)零件組成，存在裝配間隙。

縫隙或孔洞是否會(huì)泄漏電磁波，取決于縫隙或孔洞相對(duì)于電磁波波長的尺寸。當(dāng)波長遠(yuǎn)大于孔縫尺寸時(shí)，并不會(huì)產(chǎn)生明顯的泄漏;當(dāng)孔縫尺寸等于半波長的整數(shù)倍時(shí)，電磁泄漏大。一般要求孔縫尺寸小于短波長的1/10～1/2。因此，當(dāng)騷擾的頻率較高時(shí)，波長較短，須關(guān)注這個(gè)問題。

對(duì)于裝配而成的屏蔽體，有以下幾種改善屏蔽效能的方式：

① 應(yīng)使接觸面盡量平整，以減小接觸阻抗。

② 在接觸面上增加彈性導(dǎo)電材料防止電磁波的縫隙泄漏。如導(dǎo)電泡棉或者金屬簧片襯墊。

③ 由螺釘聯(lián)接的組裝件，可減小安裝螺釘?shù)拈g距，以減小縫隙長度。
④ 將接觸面做成單止口或者雙止口的裝配方式，以增加屏蔽體密閉性，如圖1所示。
隨著通信技術(shù)的發(fā)展，光模塊以及設(shè)備的數(shù)量和種類不斷增加，使電磁環(huán)境日益復(fù)雜，電磁污染越來越嚴(yán)重。在這種復(fù)雜的電磁環(huán)境中，如何減少各種電子設(shè)備之間的電磁騷擾，提高光模塊的電磁兼容性能，使各種設(shè)備可以共存并能正常工作，已成為電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵內(nèi)容。
電磁兼容EMC（ElectromagneTIc CompaTIbility）設(shè)計(jì)的目的是：電子設(shè)備或系統(tǒng)能在預(yù)期的電磁環(huán)境中正常工作，無性能降低或故障；同時(shí)，對(duì)該電磁環(huán)境不是一個(gè)污染源。為了實(shí)現(xiàn)電磁兼容，先要分析形成電磁干擾的因素，才能找到解決問題的方法。
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