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安博檢測(cè)上海分公司

檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄
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  • 認(rèn)證機(jī)構(gòu)類別:認(rèn)證機(jī)構(gòu)
    認(rèn)證服務(wù)類別:產(chǎn)品認(rèn)證
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    光伏(PV)模塊.檢測(cè)電位誘導(dǎo)衰減的試驗(yàn)方法.第1部分:晶體硅(IEC/TS 62804-1-2015)

    Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 1: Crystalline silicon (IEC/TS 62804-1:2015)

    我司(安博檢測(cè))測(cè)試項(xiàng)目:LID光致衰減,PID(抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減),TC,HF,DH,ML,OD,RC,HS等

    1、在組件的PID衰減過(guò)程中,溫度因素起到加速老化衰減的作用非常明顯;

     2、在組件的PID衰減過(guò)程中,水蒸氣分壓(濕度)作為組件PID衰減的主要“誘因”因素,在組件的PID衰減過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用;

    3、在組件的PID測(cè)試過(guò)程中,導(dǎo)電鋁箔能夠很好的保持組件玻璃表面和內(nèi)部電路之間的電場(chǎng)均勻,平衡個(gè)電池片之間的PID衰減作用非常明顯;

    4、組件PID測(cè)試以60℃、85%RH、-1000V電壓、組件表面貼導(dǎo)電鋁箔為測(cè)試條件(環(huán)境),測(cè)試時(shí)間為96小時(shí)比較合適。按照IE61215標(biāo)準(zhǔn)相應(yīng)規(guī)定來(lái)判斷組件是否合格。

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