SEM原理

高能的入射電子轟擊物質(zhì)表面時，被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射.

儀器技術(shù)參數(shù)

分辨率: 30 kV，3.0 nm(高真空模式), 背散射電子分辨率30 kV，4.0 nm(高真空模式). 放大倍率: ×5 - ×300,000. 加速電壓0.3 - 30 Kv.

送樣要求

• 1-5g之間，能把3-5mm直接樣品填滿即可。塊狀樣品不能大于5mm寬，高度小于5mm.

應(yīng)用領(lǐng)域

材料，粉體，礦物粒徑大小，表面斷面形貌分析, 填料分散狀態(tài)復(fù)合材料結(jié)構(gòu), 材料晶型分析晶粒大小,材料物相分析。元素定性分析。

適用標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 16594-2008微米級長度的掃描電鏡測量方法通則

GB/T 17362-2008 黃金制品的掃描電鏡X射線能譜分析方法

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