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北京圣濤平試驗(yàn)工程技術(shù)研究院有限責(zé)任公司中心實(shí)驗(yàn)室
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元器件破壞性物理分析鍵合強(qiáng)度檢測
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對應(yīng)法規(guī)：
CNAS認(rèn)可項(xiàng)目：是 - 1、GJB 4027A-2006軍用電子元器件破壞性物理分析方法2、GJB 5914-2006各種質(zhì)量等級軍用半導(dǎo)體器件破壞性物理分析方法3、GJB3233-1998半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法4、GJB3157-1998半導(dǎo)體分立器件失效分析方法和程序,1、《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》GJB 4027A-20062、《各種質(zhì)量等級軍用半導(dǎo)體器件破壞性物理分析方法》GJB 5914-20063、《半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法》GJB3233-19984、《半導(dǎo)體分立器件失效分析方法和程序》 GJB3157-1998
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