1、相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)

　　相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)

　　n相控陣(Phased Array)超聲檢測(cè)技術(shù)是利用延遲電路的電子技術(shù)來(lái)控制相控陣探頭合成的來(lái)實(shí)現(xiàn)超聲波發(fā)射、接收的方法。相控陣探頭有多個(gè)小晶片，其每一個(gè)晶片被獨(dú)立的激發(fā)，根據(jù)各晶片相對(duì)于被檢目標(biāo)的不同聲程施加不同的延遲時(shí)間，以實(shí)現(xiàn)聲束的角度和聚焦點(diǎn)的變化。

　　n波束聚焦是通過(guò)軟件控制每一個(gè)晶片的觸發(fā)時(shí)間使波前在指定的位置進(jìn)行疊加實(shí)現(xiàn)的。焦點(diǎn)尺寸取決于所用晶片的大小和數(shù)量。

　　n相控陣探頭陣列是許多相同的小晶片，由于每個(gè)小晶片無(wú)可視為輻射柱面波的線狀波源，當(dāng)采用一個(gè)有序的時(shí)間間隔(即相位)激發(fā)探頭陣列小晶片，這些線狀波源的波陣面就會(huì)產(chǎn)生波的干涉，開(kāi)成所需的整體波陣面；超聲能量傳播到工件中，反射的能量會(huì)被探頭接收，并按照一定的信號(hào)相位規(guī)則合成為一個(gè)超聲信號(hào)。

　　n關(guān)鍵技術(shù)在于探頭陣列激發(fā)的相位關(guān)系，即相控陣探頭中每個(gè)晶片激發(fā)的延遲量，稱(chēng)為延遲法則，不同的延遲法則具有不同的聲束特點(diǎn)。

　　相控陣設(shè)備

　　n包括相控陣探頭和相控陣儀器

　　n相控陣探頭：是實(shí)現(xiàn)相控陣檢測(cè)的基礎(chǔ)部件和核心部件。相控陣探頭的特點(diǎn)是壓電晶片不再是一個(gè)整體，而是由多個(gè)相互獨(dú)立的小晶片組成的陣列，每個(gè)小晶片稱(chēng)為一個(gè)單元，每個(gè)晶片都有各自的接頭、延時(shí)電路和A/D轉(zhuǎn)換器且晶片之間彼此聲絕緣。

　　n相控陣探頭類(lèi)型

　　n4類(lèi)：線形陣列、矩形陣列、環(huán)形陣列和圓形陣列

　　n線形陣列是最簡(jiǎn)單、最常用的相控陣探頭形式

　　n線陣探頭參數(shù)：頻率(f)、晶片數(shù)量、兩個(gè)相鄰晶片的中心間距、單個(gè)晶片的寬度、晶片間隙常用探頭形狀