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廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司

檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄
  • IC芯片壽命老化測(cè)試、可靠性驗(yàn)證;ESD靜電測(cè)試分析

  • 這真不是您需要的服務(wù)?

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  • 芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析


           廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司(GRGT)始建于1964年,是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站,經(jīng)過50余年的發(fā)展,現(xiàn)已成為一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu),專注于為客戶提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù),在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。廣電計(jì)量的資質(zhì)能力處于行業(yè)領(lǐng)先水平,其中CNAS認(rèn)可3408項(xiàng),CMA認(rèn)可1990項(xiàng),CATL認(rèn)可覆蓋55個(gè)類別;在支撐各區(qū)域產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展過程中,廣電計(jì)量還獲眾多榮譽(yù)稱號(hào)。


    芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)

    芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ;

    高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ;

    溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ;

    溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ;

    高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL / HAST), JESD22-A110;

    高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108;

    芯片靜電測(cè)試 ( ESD):

    人體放電模式測(cè)試(HBM), JS001 ;

    元器件充放電模式測(cè)試(CDM), JS002 ;

    閂鎖測(cè)試(LU), JESD78 ;

    TLP;Surge / EOS / EFT;

    芯片IC失效分析 ( FA):

    光學(xué)檢查(VI/OM) ;

    掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

    微光分析定位(EMMI/InGaAs);

    OBIRCH ;

    Micro-probe;

    聚焦離子束微觀分析(FIB); 

    彈坑試驗(yàn)(cratering) ;

    芯片開封(decap) ;

    芯片去層(delayer);

    晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法);

    PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn);

    推拉力測(cè)試(WBP/WBS);

    紅墨水試驗(yàn):

    PCBA切片分析(X-section);

    芯片材料分析

    高分辨TEM (形貌、膜厚測(cè)量、電子衍射、STEM、HAADF);

    SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD);

    Raman (Raman光譜);

    AFM (微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量);

    芯片分析服務(wù):

    ESD / EOS實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì);

    集成電路競(jìng)品分析;

    AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術(shù)服務(wù);

    未知污染物分析 (污染物分析方案制定與實(shí)施,幫助客戶全面了解污染物的理化特性,包括:化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析材料理化特性全方位分析(有機(jī)高分子材料、小分子材料、無機(jī)非金屬材料的成分分析、分子結(jié)構(gòu)分析等);

    鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實(shí)施,包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析);

     

    GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力:

    •集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

    •集成電路競(jìng)品分析、工藝分析

    •芯片級(jí)失效分析方案turnkey

    •芯片級(jí)靜電防護(hù)測(cè)試方案制定與平臺(tái)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

    •靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議

    •集成電路可靠性驗(yàn)證

    •材料分析技術(shù)支持與方案制定

    半導(dǎo)體材料分析手法


    芯片測(cè)試地點(diǎn):廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。

    芯片測(cè)試咨詢及技術(shù)交流:

    李紹政; 138-0884-0060 ;lisz @ grgtest.com


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